额定电流覆盖50~100A/1200V，可以简化PCB布线设计，缩小基板面积。在轨道牵引、电力传输和高可靠性变流器等应用领域，三菱电机今年展出的X系列HVIGBT进一步扩展3.3kV/4.5kV/6.5kV的电流等级，实现更大电流密度，该产品采用CSTBTTM硅片技术和RFC二极管硅片技术，采用第7代IGBT和RFC二极管硅片技术，能够降低功率损耗；此外，该产品采用LNFLR技术减小结-壳热阻，全系列运行结温范围达到-50℃~150℃，安全工作区(SOA)裕量大，且无Snap-off反向恢复。通过优化封装内部结构，X系列HVIGBT提高散热性、耐湿性和阻燃性，延长产品寿命。该系列采用传统封装，可兼容现有H系列和R系列HVIGBT。

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需要快速开关、低饱和压降Vcesat、低正向电压Vf的器件。安森美半导体****宽广的符合AEC车规的IGBT系列，包括650V/750V/950V第4代沟槽场截止IGBT和1200V超高速沟槽场截止IGBT，具备更低的损耗和更高的功率密度，以及集成SiC二极管的混合IGBT方案AFGHL50T65SQDC。SiC方案降低损耗SiC比硅方案降低开关损耗和导通损耗，****新的性能水平。安森美半导体投入宽禁带的开发近10年，是少数同时具备硅、SiC和氮化镓(GaN)技术的供应商，针对车载充电应用，****汽车级650VSiC二极管(涵盖6A到50A)、1200VSiC二极管(涵盖10A到40A)、1200VSiCMOSFET(涵盖20到80mΩ)。

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三菱电机将会带来19款功率?，椴⒅氐阏故颈砻嫣靶虸PM、大型DIPIPMTM、X系列HVIGBT、和SiCMOSFET分立器件、全SiC高压?，?款新型功率?，椤Ｆ渲蠸iCMOSFET分立器件和全SiC高压?，槭枪谑状握钩觥？梢运担獾缁诒淦导业缌煊蚓哂杏攀疲ü白鲂　辈泛汀白龃蟆惫β柿礁龇较虻难由欤獾缁徊焦套陨碓贗PM及DIPIPMTM制造的经验。三菱电机区技术总监宋高升表示，无论是做小还是做大，都具有很大的挑战。据悉，三菱电机进攻小功率变频市场主要是为了开拓以风机、冰箱和洗碗机等家电新消费领域。去年，针对这一领域，三菱电机展出了用于变频家电的小型封装SLIMDIP-S/SLIMDIP-L。

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内置短路保护和欠压保护功能以及温度模拟量输出功能和自举二极管(BSD)及自举限流电阻。额定电流覆盖50~100A/1200V。可以简化PCB布线设计，缩小基板面积。继去年展出了全系列的第7代IGBT?，楹螅獾缁衲晖瞥隽耸视糜诠ひ导靶履茉从τ玫耐ㄓ么蠊β誓，椤?代IGBT?，椋↙V100封装）。该产品在通用变频器，高压变频器，风力发电等领域的应用市场广阔，低杂散电感符合未来大功率变流器的封装设计；采用第7代功率芯片组和SLC技术，提高性价比；此外，该产品降低开关损耗，有利于提高开关频率；并且去除底板焊接层，提高热循环寿命。随着新能源汽车市场的爆发，功率器件领域也将迎来新的发展机遇，然而电动汽车的运行条件不同于工业应用条件。

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这些SiC二极管高结温175℃，具有高浪涌电流能力，正温系数，易于并联，无反向恢复损耗，符合AEC-Q101和生产件批准程序(PPAP)。这些SiCMOSFET高结温175℃，****高速开关和低电容，经无钳位感性负载(UIL)测试，符合AEC-Q101和生产件批准程序(PPAP)。超级结MOSFET：比平面硅方案性能更好，比SiC方案更具成本优势安森美半导体具备10年汽车超级结MOSFET经验，的第三代超级结MOSFET****领先行业的能效和性能，现有的超级结MOSFET分立器件可****KGD裸芯，并于2018年推出APM?，椤３督酠OSFET有快速版本(FASTVersion)、易驱动版本(EasyDriveVersion)和快恢复版本(FRFETVersion)。

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